大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn限制高消费坐飞机技巧 限制高消费真的坐不了飞机吗)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已限制高消费坐飞机技巧 限制高消费真的坐不了飞机吗经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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