大家好，来(lái)看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)四大哲学流派有哪些 四大哲学流派是什么意思》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(j四大哲学流派有哪些 四大哲学流派是什么意思īng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品四大哲学流派有哪些 四大哲学流派是什么意思>

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。