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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。know过去分词是什么写，know过去分词是什么词中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰5know过去分词是什么写，know过去分词是什么词7％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士know过去分词是什么写，know过去分词是什么词、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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