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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司说唱歌手的cypher是什么意思，说唱cyber是什么意思说唱歌手的cypher是什么意思，说唱cyber是什么意思n>产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场说唱歌手的cypher是什么意思，说唱cyber是什么意思份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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