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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中破壁机能绞肉吗，破壁机能绞肉馅吗ine-height: 24px;'>破壁机能绞肉吗，破壁机能绞肉馅吗国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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