审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定abo文是什么意思 abo文是谁发明的推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

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　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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