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俄罗斯为啥打不赢乌克兰,乌克兰为什么这么难打

俄罗斯为啥打不赢乌克兰,乌克兰为什么这么难打 半导体突发!中国出手:停止采购!

 俄罗斯为啥打不赢乌克兰,乌克兰为什么这么难打 大家好,来看一则突发(fā)消息。<俄罗斯为啥打不赢乌克兰,乌克兰为什么这么难打/p>

  美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息,日(rì)前(qián),网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查(chá),目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放,只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng),为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì),江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性,巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计(jì)为75%。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公司份额提升(shēng),以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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