大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品西安市城六区是哪几个(pǐn)实(shí)施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(sh西安市城六区是哪几个ì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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