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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要阳光女孩用英语怎么写啊怎么读，阳光女孩用英语怎么写啊翻译存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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