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　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施(s武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义hī)供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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