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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华ln函数的运算法则求导，ln运算六个基本公式(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3ln函数的运算法则求导，ln运算六个基本公式维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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