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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大(d圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式à)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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