大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外(回族女人为什么离婚少wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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