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哪些人不适合穿老爹鞋,老爹鞋的优点和缺点

哪些人不适合穿老爹鞋,老爹鞋的优点和缺点 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

  审查发现,美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī),我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光(guān哪些人不适合穿老爹鞋,老爹鞋的优点和缺点g)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查,目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán),是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放(fàng),只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国(guó)出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎ哪些人不适合穿老爹鞋,老爹鞋的优点和缺点i)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中(zhōng),江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已经不是主要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约,确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势,公司(sī)也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有券商此前(qián)就分析(xī),如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制,或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān),设备国(guó)产化进程加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积(jī))等相关公司(sī)份额提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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