大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办选择复句例子十个，选择复句例子5个(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安(ān)选择复句例子十个，选择复句例子5个全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露选择复句例子十个，选择复句例子5个(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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