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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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