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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的ong>我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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