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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。日落胭脂红完整的诗句带拼音，日落胭脂红完整的诗句的意思中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光日落胭脂红完整的诗句带拼音，日落胭脂红完整的诗句的意思(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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