大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商96的因数有哪些数，72的因数有哪些。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署96的因数有哪些数，72的因数有哪些(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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