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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售横截面是什么意思小学六年级，长方体的横截面示意图的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的横截面是什么意思小学六年级，长方体的横截面示意图华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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